Компания STMicroelectronics представила новую серию 30-вольтовых силовых транзисторов для поверхностного монтажа, которые достигают максимального значения сопротивления открытого канала всего лишь 2 мОм и, за счет этого, позволяют улучшить энергоэффективность такой продукции как компьютеры, телекоммуникационное и сетевое оборудование.

Благодаря применению технологии STripFET^TM VI DeepGATE^TM нового поколения, которая обеспечивает высокую эквивалентную плотность ячеек, компания ST достигла лучшего в промышленности значения R_DS(ON) по отношению к размерам кристалла. По сравнению с технологией предыдущего поколения достигнуто улучшение примерно на 20%, что позволит применять небольшие силовые корпуса для поверхностного монтажа в импульсных стабилизаторах и DC/DC-преобразователях. Технология также предоставляет преимущества малого заряда затвора, что дает возможность повысить частоту преобразования и, за счет этого, уменьшить размеры пассивных компонентов, в т.ч. дроссели и конденсаторы.

Читать далее »

Уменьшенные вдвое габариты по сравнению с корпусом DPAK при тех же функциональных характеристиках

MOSFET-транзисторы в корпусах DPAK-SO8L, для применения в силовых цепях широкого круга мощных автомобильных устройств.

Коммутаторы систем впрыска инжекторных двигателей, стабилизаторы напряжения бортовой сети, управление тормозами – это только некоторые области применения этих силовых транзисторов. В данной серии присутствуют восемь различных типов компонентов, доступны как одноканальные транзисторы с N- и P- каналом, так и транзисторы с двумя каналами N-типа. Рабочие напряжения лежат в пределах от -12 В (P-канальные транзисторы) до 100 В (N-канальные транзисторы).

Читать далее »

Компания EBV совместно с тремя крупнейшими производителями силовых компонентов из своей программы поставок представит последние достижения в области MOSFET-транзисторов.

• Fairchild: Лучшие в своем классе 30-вольтовые MOSFET-транзисторы в MLP-корпусах (формованный безвыводной корпус) размерами 5 х 6 и 3 х 3 мм
• Infineon: MOSFET-транзисторы на 120…250 В семейства OptiMOS обеспечивают наивысшую эффективность и плотность мощности
• STMicroelectronics: Технология MDmesh V силовых MOSFET-транзисторов нового поколения демонстрирует лучшее в отрасли отношение сопротивления открытого канала к занимаемой площади для максимальной эффективности и плотности мощности в классе напряжений 650 В

Усовершенствуйте свое приложение с MOSFET-транзисторами от EBV Elektronik, став участником бесплатного вебинара, который будет проводиться на английском и немецком языках – регистрируйтесь прямо сейчас!

Читать далее »

Оптимизированный заряд затвора улучшает процесс переключения.

Транзистор идеально подходит для использования в составе DC/DC преобразователей, приложений ORing, переключателей мощной нагрузки и узлов управления двигателями в конечных продуктах, таких как компьютеры, принтеры и других вычислительных и бытовых устройствах. Транзистор доступен в бессвинцовом корпусе SO-8 с плоскими выводами и размерами всего 5 х 6 мм.

Читать далее »

Компания Infineon расширила ассортимент мощных MOSFET-транзисторов OptiMOS^TM новыми 200- и 250-вольтовыми приборами с лидирующими характеристиками.

Использование 200- и 250-вольтовых транзисторов  OptiMOS^TM в выпрямительном каскаде 48-вольтовых источников питания позволит добиться уровня КПД свыше 95%. Это означает, что прирост КПД по отношению к типовым для текущего момента уровням, составит 2% (эквивалентно снижению потерь мощности до 30%). Технологии, по которым выполнены транзисторы, если сравнивать c аналогичными приборами, обеспечивают снижение сопротивления открытого канала R_DS(ON) до 50%, а Q_G (заряд затвора) — до 5%. Кроме того, новые транзисторы несут в себе ряд возможностей по снижению себестоимости системы. Благодаря более низкому сопротивлению канала, они могут работать с более компактным теплоотводом и с меньшим числом параллельно-включенных транзисторов, а, благодаря улучшенным динамическим характеристикам, упрощается процесс проектирования.

Читать далее »

Данный прибор содержит два специализированных n-канальных MOSFET-транзистора в корпусе Power33 (MLP, 3 x 3 мм).

Внутренняя схема соединений транзисторов и расположение выводов выполнены с учетом максимального облегчения трассировки печатных проводников на платах понижающих DC/DC-преобразователей с синхронным выпрямлением. Управляющий MOSFET-транзистор (Q1) и MOSFET-транзистор синхронного выпрямления (Q2) разработаны с учетом достижения максимального КПД преобразования.

Читать далее »

FCP22N60N, будучи ориентированным на применение в источниках питания, обладает малым значением R_DS(ON) (165 мОм) и очень малым зарядом затвора (14.5 нКл).

MOSFET-транзистор доступен в стандартном и изолированном корпусах TO220. Значение dv/dt транзистора составляет 100 В/нс, а встроенного диода — 20 В/нс. Указанные рабочие характеристики особенно важны в таких применениях как каскады коррекции коэффициента мощности и резонансные преобразователи.

Читать далее »

Девять новых MOSFET-транзисторов Trench 6: первые в мире транзисторы в корпусе типоразмера Power-SO8 с сопротивлением менее 1 мОм при 25 В

Компания NXP первой представила ассортимент MOSFET-транзисторов Trench 6 в так называемом "корпусе без потерь" LFPAK. Благодаря объединению кристалла Trench 6 и высококачественного корпуса LFPAK, новые транзисторы несут в себе множество преимуществ, касающихся рабочих характеристик и надежности.

Полупроводниковая технология Trench 6 позволила компании NXP добиться рекордно-низких значений R_DS(ON): типовое значение 0.9 мОм при напряжении V_GS = 10 В (PSMN1R2-25YL). Эти новые транзисторы идеальны для использования в широком числе требовательных применений, в т.ч. схемы объединения по ИЛИ силовых цепей, управления двигателями и высокоэффективные понижающие стабилизаторы с синхронным выпрямлением.

Читать далее »

Новые 75-вольтовые транзисторы семейства OptiMOS^TM 3 характеризуются рекордно-низкими значениями сопротивления открытого канала и отличными коммутационными характеристиками. Благодаря малому сопротивлению транзисторов, размещенных в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа, и их нагрузочной способности до 50А, появляется возможность уменьшения размеров платы, а также гарантирования идеальных характеристик коммутации и наивысших уровней эффективности.

IPP023NE7N3 G, с его типовым значением R_DS(ON) 2.1 мОм (не более 2.3 мОм), а также тепловым сопротивлением 0.5К/Вт, установил новую рекордную планку для низкоомных MOSFET-транзисторов в 75-вольтовом классе.

BSC092NE7NS3 G поставляется в корпусе SuperSO8 и характеризуется типовым значением R_DS(ON) 3.7 мОм (максимальное не более 4.2 мОм), что позволит создавать новые высокоэффективные решения.

Читать далее »

MOSFET-транзисторы верхнего и нижнего уровней объединены в одном компактном корпусе. Такое объединение MOSFET-транзисторов позволяет снизить размеры платы и улучшить рабочие характеристики по сравнению с вариантом использования двух дискретных транзисторов.

Благодаря объединению в одном компактном корпусе MOSFET-транзисторов верхнего и нижнего уровней (такая конфигурация используется в DC/DC-преобразователях) с идентичными двум дискретным транзисторам малым сопротивлением открытого канала и большим максимальным током, появляется возможность снизить размеры и себестоимость конечного решения.

Читать далее »