Этот новый p-канальный MOSFET-транзистор в ультраминиатюрном корпусе UF6 (2.1мм х 2.0мм) идеален для разнообразных низковольтных применений, где требуется коммутация постоянного тока не более 9.5А. Поскольку минимальное коммутируемое напряжение может составлять всего лишь 1.5В, данный транзистор можно без труда использовать в применениях с батарейным питанием.

SSM6J409TU – новый высококачественный одиночный p-канальный MOSFET-транзистор из обширного ассортимента низковольтных MOSFET-транзисторов компании Toshiba (насчитывает свыше 100 p- и n-канальных транзисторов).

SSM6J409TU способен коммутировать большие токи при напряжении всего лишь 1.5В, что делает его идеальным для использования в любых устройствах с батарейным питанием, а также в устройствах, где необходимо снижение коммутируемых напряжений в целях улучшения общесистемного энергопотребления.

Читать далее »

Серия NTD580xN была разработана для использования в приложениях, где требуются 40-вольтовые транзисторы с пониженным сопротивлением R_DS(ON). Благодаря малому R_DS(ON), появляется возможность оптимизации КПД и продления ресурса батареи питания. Все транзисторы NTD580xN размещены в корпусе для поверхностного монтажа DPAK, позволяя сэкономить место на плате. Они характеризуются напряжением пробоя 40В, что соответствует требованиям к стойкости к переходным процессам в автомобильной электросети. Семейство соответствует автомобильному стандарту AECQ101.

Преимущества:

• Улучшает КПД системы
• Возможность управления затвором малым напряжением
• Экономия размеров платы
• Отвечает требованиям RoHS

Читать далее »

Технология нового поколения Trench 6 обеспечивает более низкое R_DS(ON) по сравнению с предшествующими технологиями. Технология Trench 6 также обеспечивает более низкие значения заряда затвора (Q_G) и сопротивления цепи затвора (R_G) и, поэтому, созданные на её основе транзисторы смогут стать инструментом для повышения КПД и частоты преобразования напряжения.

NXP предлагает новые транзисторы T6 в корпусах LFPAK и TO220 на напряжения 25, 30, 40 и 80В. Их рекомендуется использовать в разнообразных промышленных и потребительских применениях, в т.ч. импульсные источники питания, DC/DC-преобразователи, устройства управления электродвигателями, системные блоки ПК и каскады распределения тока между параллельно-включенными источниками питания. Транзисторы Trench 6 отличаются более низким R_DS(ON), а также позволяют снизить потери коммутации за счет малого заряда затвора (Qg) и малого обратного восстановления (Q_RR). Если корпус LFPAK с посадочным местом Power-SO8 (5мм х 6мм) способен пропускать большие токи и обладает малым тепловым сопротивлением, то корпус TO220 идеален для применений, где необходим сквозной монтаж и установка на теплоотвод.

Читать далее »

По-настоящему автомобильный силовой корпус с посадочным местом SO8

Компания NXP предлагает автомобильные MOSFET-транзисторы в инновационном корпусе LFPAK. Его уникальная конструкция позволила получить надежный корпус с посадочным местом SO8, который обладает высокой тепловой эффективности и соответствует стандарту AEC Q101. В настоящее время доступны транзисторы с 30 различными значениями R_DS(ON) на напряжения от 30 до 100 Вольт.

MOSFET-транзисторы компании NXP, размещенные в корпусе LFPAK с улучшенными теплорассеивающими свойствами, оптимизированы для использования в автомобильной электронике с высокой плотностью мощности. Корпус LFPAK отличается уникальным сочетанием очень малого сопротивления корпуса, высокой надежности и отличных тепловых характеристик. При этом, корпус является еще и миниатюрным. Это означает, что его можно установить в любой части автомобиля, где это максимально необходимо.

Читать далее »

Новые транзисторы OptiMOS-T2 являются эталонными для применений, где необходимо энергосбережение, снижение выбросов CO2, используются электроприводы и др.

Транзисторы OptiMOS-T2 доступны в исполнениях на напряжения 30, 40 и 60В и являются расширением для существующих семейств OptiMOS-T и OptiMOS.

Читать далее »

Компания Fairchild предлагает новое семейство 30-вольтовых MOSFET-транзисторов с наименьшим сопротивлением R_DS(ON) для улучшения КПД каскадов преобразования постоянного напряжения. FDMS7650 в корпусе Power56 стал первым транзистором, который преодолел барьер в 1 мОм. Его максимальное значение R_DS(ON) составляет всего лишь 0.99 мОм, что способствует снижению потерь коммутации и улучшению общей эффективности.

FDMS7650, благодаря выполнению по улучшенной технологии PowerTrench®, способен добиться рекордно-низких значений R_DS(ON). Данная технология, помимо малых значений R_DS(ON), также обеспечивает пониженные значения общего заряда затвора (Q_G) и заряда емкости Миллера (Q_GD). Совместно данные улучшения позволят улучшить КПД силового каскада за счет минимизации потерь проводимости и коммутации.

Читать далее »

Новые 500-вольтовые силовые MOSFET-транзисторы компании Vishay-Siliconix характеризуются сопротивлением открытого канала 0.270 Ом и доступностью в корпусах TO-220, TO-220F и TO-247. Они могут служить более энергоэффективной заменой аналогичным транзисторам в разнообразных электронных системах.

Три новых транзистора компании Vishay в корпусах TO-220 (SiHP18N50C), TO-220F FULLPAK (SiHF18N50C) и TO-247 (SiHG20N50C) выполнены по n-канальной планарной полевой технологии поколения 6.2. Они отличаются малым сопротивлением открытого канала, что позволяет снизить потери проводимости и улучшить энергоэффективность во многих электронных системах. По сравнению с силовыми 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами предыдущего поколения, новые транзисторы характеризуются улучшенными характеристиками крутизны и обратного восстановления.

Читать далее »

Транзисторы Toshiba выполнены по новой технологии DTMOS II и охватывают диапазон токов 12, 15 и 20 Ампер. Они характеризуются лучшими в своем классе характеристиками заряда затвора и сопротивления открытого канала, способствующие повышению эффективности процесса коммутации. Структура Super Junction дополнительно способствует улучшению робастности и стойкости к перенапряжениям. По сравнению с обычными MOSFET-транзисторами, данные транзисторы предлагают на 68 процентов меньшее произведение заряда затвора на сопротивление открытого канала.

Транзисторы выполнены по инновационной технологии корпусирования, за основу которой взят изолированный корпус TO-220. Проволочные соединители в нём заменены на формованные медные соединители. В отличие от проволочного соединения, так называемая технология WARP обеспечивает двухкратное увеличение тока перегорания соединителя, снижение его сопротивления и улучшение тепловых характеристик не в ущерб стоимости.

Читать далее »

MDmesh V – инновационная 650-вольтовая технология, которая позволяет снизить потери в применениях, где требуется улучшение энергоэффективности. С её помощью разработчики получают возможность создания продукции, экономичность которой достигается за счет применения транзисторов с наименьшим отношением сопротивления открытого канала к размеру кристалла по сравнению с представленными в настоящее время на рынке аналогичными (т.е. такого же класса напряжения) силовыми MOSFET-транзисторами. Данная технология является наиболее эффективной на рынке. Она позволяет сэкономить энергию, которая обычно теряется в каскадах источников питания компьютеров, телевизоров, бытовой техники и другой похожей продукции. К числу других возможных сфер применения относятся возобновляемые источники энергии. Здесь появляется возможность сэкономить часть жизненно-важных ватт мощности, которые обычно теряются в силовых модулях преобразования напряжения, например, солнечных элементов.

Читать далее »

Данный n-канальный силовой MOSFET-транзистор характеризуется напряжением пробоя 600В и сопротивлением открытого канала 0.65 Ом. Малое значение R_DS(ON) и высокое быстродействие коммутации способствуют улучшению КПД.

Преимущества

• Повышает КПД
• Более быстрое включение
• RoHS-совместимость
• Надежная работа

Читать далее »